張力傳感器的四個(gè)代表性階段

　　現(xiàn)今張力傳感器技術(shù)正在飛速的發(fā)展當(dāng)中，很多的領(lǐng)域當(dāng)中都在應(yīng)用張力傳感器例如醫(yī)療、工業(yè)、電力、航空航天等多個(gè)行業(yè) 。張力傳感器在發(fā)張當(dāng)中的四個(gè)代表性階段大家都知道是什么嗎？
　?(1) 發(fā)明階段(1945 - 1960 年) ：這個(gè)階段主要是以1947 年雙極性晶體管的發(fā)明為標(biāo)志。此后，半導(dǎo)體材料的這一特性得到較廣泛應(yīng)用。
　　　(2) 技術(shù)發(fā)展階段(1960 - 1970 年) ：隨著硅擴(kuò)散技術(shù)的發(fā)展，技術(shù)人員在硅的(001) 或(110) 晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴(kuò)散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成較薄的硅彈性膜片，稱為硅杯 。這種形式的硅杯傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了金屬- 硅共晶體，為商業(yè)化發(fā)展提供了可能。
　　(3) 商業(yè)化集成加工階段(1970 - 1980 年) ：在硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù)，擴(kuò)散硅傳感器其加工工藝以硅的各項(xiàng)異性腐蝕技術(shù)為主，發(fā)展成為可以自動(dòng)控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù)，主要有V 形槽法、濃硼自動(dòng)中止法、陽(yáng)極氧化法自動(dòng)中止法和微機(jī)控制自動(dòng)中止法。由于可以在多個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行腐蝕，數(shù)千個(gè)硅壓力膜可以同時(shí)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了集成化的工廠加工模式，成本進(jìn)一步降低。
?(4) 微機(jī)械加工階段(1980 年- 今) ：上世紀(jì)末出現(xiàn)的納米技術(shù)，使得微機(jī)械加工工藝成為可能。通過微機(jī)械加工工藝可以由計(jì)算機(jī)控制加工出結(jié)構(gòu)型的張力傳感器，其線度可以控制在微米級(jí)范圍內(nèi)。利用這一技術(shù)可以加工、蝕刻微米級(jí)的溝、條、膜，使得張力傳感器進(jìn)入了微米階段。